品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,610mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@1A,5mA
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.2nC@10V
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.2nC@10V
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.8nC@10V
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:350mΩ@10V,600mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@1A,5mA
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
销售单位:个
集电极电流(Ic):900mA
特征频率:140MHz
功率:625mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@1A,5mA
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):100V
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:-55℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1Ω@10V,600mA
功率:625mW
栅极电荷:3.5nC@10V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,610mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:50pF@18V
连续漏极电流:160mA
类型:1个P沟道
导通电阻:14Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
输入电容:35pF@18V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:2.9nC@10V
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.2nC@10V
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.2nC@10V
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:1.8nC@5V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@10V,910mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@10V,910mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:1Ω@600mA,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.8nC@5V
功率:625mW
类型:1个P沟道
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: