品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:514pF@5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:514pF@5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:514pF@5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:514pF@5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:31pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:514pF@5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: