品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
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输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流:1.1A€800mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流:1.1A€800mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: