品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:0.9 nC @ 4.5 V
输入电容:64 pF @ 25 V
连续漏极电流:320mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:7.7 nC @ 10 V
输入电容:281 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:42 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: