品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67.62pF@25V
连续漏极电流:1.21A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP58D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@40V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@40mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@40V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@40mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2710UWQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:42pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP58D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@40V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@40mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@40V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@40mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@40V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@40mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67.62pF@25V
连续漏极电流:1.21A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3730UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: