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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：8.8nC@10V
输入电容：383pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
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功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
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功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
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功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
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功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
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功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
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功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
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输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
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输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
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功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
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输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
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规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
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功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：680pF@15V
阈值电压：1.8V@250μA
功率：860mW
连续漏极电流：6.2A
导通电阻：25mΩ@4A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：680pF@15V
阈值电压：1.8V@250μA
功率：860mW
连续漏极电流：6.2A
导通电阻：25mΩ@4A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020UFDB-7
功率：860mW
漏源电压：30V
输入电容：383pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：21mΩ@6A，10V
类型：1个N沟道+1个P沟道
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：8.8nC@10V
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：680pF@15V
阈值电压：1.8V@250μA
功率：860mW
连续漏极电流：6.2A
导通电阻：25mΩ@4A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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