品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6312-ES
功率:50W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:43nC
输入电容:3.1nF
连续漏极电流:123A
类型:1个N沟道
反向传输电容:103pF
导通电阻:1.7mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6312-ES
功率:50W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:43nC
输入电容:3.1nF
连续漏极电流:123A
类型:1个N沟道
反向传输电容:103pF
导通电阻:1.7mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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