采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：150μA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：1个N沟道
导通电阻：25Ω@10V，100mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：1个N沟道
导通电阻：25Ω@10V，100mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：75mA
类型：1个P沟道
导通电阻：20Ω@10V，150mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：150μA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：90mA
类型：1个P沟道
导通电阻：14Ω@10V，200mA
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：150μA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：75mA
类型：1个P沟道
导通电阻：20Ω@10V，150mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：75mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：20Ω@10V，150mA
功率：330mW
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
