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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
栅极电荷：8.2nC@10V
连续漏极电流：2.7A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
输入电容：384.4pF@10V
阈值电压：2.1V@250μA
类型：1个P沟道
功率：1.08W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：65mΩ@10V，3.8A
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
类型：1个P沟道
功率：1.08W
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：65mΩ@10V，3.8A
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
类型：1个P沟道
功率：1.08W
包装清单：商品主体 * 1
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