品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH61M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306pF@30V
连续漏极电流:215A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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功率:3.2W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306pF@30V
连续漏极电流:215A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
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阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130.6nC@10V
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输入电容:8306pF@30V
连续漏极电流:215A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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功率:3.2W€167W
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栅极电荷:130.6nC@10V
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
连续漏极电流:215A
阈值电压:4V@250µA
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阈值电压:4V@250µA
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输入电容:8306pF@30V
连续漏极电流:215A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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连续漏极电流:215A
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连续漏极电流:215A
类型:N沟道
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