采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W
类型：N沟道
输入电容：1477pF@50V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：21nC@10V
导通电阻：22mΩ@20A，10V
连续漏极电流：51.7A
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0106R-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
