采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SEQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SEQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SEQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SEQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SEQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SEQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@10V
连续漏极电流：89A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
