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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1405pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:47.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2051pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007SPDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007SPDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2026pF@30V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1895pF@30V

    连续漏极电流:16.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2051pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2051pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1895pF@30V

    连续漏极电流:16.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2051pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1895pF@30V

    连续漏极电流:16.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1895pF@30V

    连续漏极电流:16.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2051pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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