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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
