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    品牌: DIODES
    功率: 2.34W€14.8W
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订2个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订2个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

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    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订2个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

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    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订2个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDV-7 起订2个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDV-7 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    工作温度:-55℃~150℃

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    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

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    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDV-7 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订1000个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

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    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订4个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-13

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    阈值电压:2.3V@250µA

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    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDV-7 起订5000个装
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    品牌:DIODES

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    规格型号(MPN):DMT47M2LDV-7

    工作温度:-55℃~150℃

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    阈值电压:2.3V@250µA

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    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订5000个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订2000个装
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    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订1000个装
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    连续漏极电流:11.9A€30.2A

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    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2LDVQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2LDVQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.34W€14.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:891pF@20V

    连续漏极电流:11.9A€30.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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