品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: