采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：0.9 nC @ 4.5 V
输入电容：64 pF @ 25 V
连续漏极电流：320mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2 欧姆 @ 100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：700mW（Ta）
阈值电压：2.4V @ 1mA
输入电容：75 pF @ 18 V
连续漏极电流：450mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2 欧姆 @ 1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：16 nC @ 10 V
输入电容：825 pF @ 30 V
连续漏极电流：4.3A（Ta），10A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：69 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT61M5SPSW-13
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8306 pF @ 30 V
功率：2.7W（Ta），139W（Tc）
栅极电荷：130.6 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
导通电阻：1.5 毫欧 @ 30A，10V
连续漏极电流：215A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT61M5SPSW-13
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8306 pF @ 30 V
功率：2.7W（Ta），139W（Tc）
栅极电荷：130.6 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
导通电阻：1.5 毫欧 @ 30A，10V
连续漏极电流：215A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
功率：600mW（Ta）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
阈值电压：3V @ 250µA
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
