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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3900UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
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功率：390mW
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类型：N沟道
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连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：0.7nC@4.5V
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输入电容：52pF@16V
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
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功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
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输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3900UFA-7B
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功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
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输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
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输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：390mW
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连续漏极电流：550mA
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漏源电压：30V
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阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
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输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
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功率：390mW
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连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：900mA
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导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
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连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3900UFA-7B
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功率：390mW
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连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
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功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
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栅极电荷：0.7nC@4.5V
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输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
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功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
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输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3900UFA-7B
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功率：390mW
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ECCN：EAR99
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功率：400mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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功率：400mW
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
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导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
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