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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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