品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.71W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: