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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.12W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：404pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.12W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：404pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.12W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：404pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.12W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：404pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
