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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
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功率：2W
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栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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功率：2.11W
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栅极电荷：20.4nC@10V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
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功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：7A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：7A
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导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：7A
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导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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功率：2W
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栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：20.4nC@10V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
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输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
输入电容：1063pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：20.4nC@10V
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
阈值电压：1V@250µA
功率：2W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
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功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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