品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
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功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
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输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
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功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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