采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：5.6A
类型：N-Channel
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：5.6A
类型：N-Channel
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
