品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
连续漏极电流:5.4A
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:780mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:143pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2016UTS-13
功率:880mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14.5mΩ@9.4A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1495pF@10V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
连续漏极电流:8.58A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
连续漏极电流:5.4A
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:780mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:143pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926UDM-7
功率:980mW
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:856pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDH-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
输入电容:151pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG8601UFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.05V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
功率:920mW
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.1A
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDH-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
输入电容:151pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2022UNS-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1870pF@10V
连续漏极电流:10.7A
导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1.2W
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDH-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
输入电容:151pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:850mW
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG8601UFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.05V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
功率:920mW
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.1A
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFX-7
输入电容:2248pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.5mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.2A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:2.1W
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFU-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:20.2mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:887pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
功率:900mW
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG8601UFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.05V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
功率:920mW
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.1A
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3006SCA6-7
连续漏极电流:13A
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:800mW
导通电阻:5.5mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)共漏
输入电容:2235pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFU-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:20.2mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:887pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
功率:900mW
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:850mW
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UTS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.2A
输入电容:143pF@10V
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG8601UFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.05V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
功率:920mW
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.1A
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2008LFU-7
导通电阻:5.4mΩ@5.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.5V@250A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1418pF@10V
连续漏极电流:14.5A
漏源电压:20V
功率:1W
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UVTQ-7
输入电容:647pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:143pF@10V
功率:850mW
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFU-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:20.2mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:887pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
功率:900mW
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9A
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:1550pF@10V
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFX-7
输入电容:2248pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.5mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.2A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:2.1W
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:143pF@10V
功率:850mW
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2023UCB4-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3333pF@10V
功率:1.45W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG8822UTS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:841pF@10V
漏源电压:20V
功率:870mW
类型:2N沟道(双)共漏
连续漏极电流:4.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFU-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:20.2mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:887pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
功率:900mW
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926UDM-7
功率:980mW
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:856pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存: