品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7
输入电容:36pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.55nC@4.5V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.9nC@4.5V
功率:500mW
连续漏极电流:320mA
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:64pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFDQ-7
输入电容:36pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.55nC@4.5V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.41A
功率:500mW
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:106pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104LP-7
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
输入电容:320pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.35A
类型:N沟道
栅极电荷:3.1nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:94pF@16V
漏源电压:20V
导通电阻:170mΩ@1A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104LP-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.35A
类型:N沟道
栅极电荷:3.1nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:94pF@16V
漏源电压:20V
导通电阻:170mΩ@1A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.41A
功率:500mW
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:106pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:100pF@15V
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
输入电容:51pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:1.3nC@10V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.35A
类型:N沟道
栅极电荷:3.1nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:94pF@16V
漏源电压:20V
导通电阻:170mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
栅极电荷:3.5nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:335pF@15V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.9nC@4.5V
功率:500mW
连续漏极电流:320mA
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:64pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.9nC@4.5V
功率:500mW
连续漏极电流:320mA
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:64pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
输入电容:64.3pF@25V
类型:N沟道
功率:500mW
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: