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    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 500mW
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
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    价格
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    功率:500mW

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订73个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订73个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:500mW

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7

    输入电容:36pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    连续漏极电流:400mA

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:2nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    功率:500mW

    连续漏极电流:320mA

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:64pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订1200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订1200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:2nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFDQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFDQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFDQ-7

    输入电容:36pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    连续漏极电流:400mA

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@1A,4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.41A

    功率:500mW

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    输入电容:106pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104LP-7

    连续漏极电流:1.5A

    功率:500mW

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    输入电容:320pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.35A

    类型:N沟道

    栅极电荷:3.1nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:94pF@16V

    漏源电压:20V

    导通电阻:170mΩ@1A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    功率:500mW

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104LP-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    连续漏极电流:1.5A

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.35A

    类型:N沟道

    栅极电荷:3.1nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:94pF@16V

    漏源电压:20V

    导通电阻:170mΩ@1A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@1A,4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.41A

    功率:500mW

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    输入电容:106pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:400mA

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:100pF@15V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    输入电容:51pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:1.3nC@10V

    连续漏极电流:400mA

    功率:500mW

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.35A

    类型:N沟道

    栅极电荷:3.1nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:94pF@16V

    漏源电压:20V

    导通电阻:170mΩ@1A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:335pF@15V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004DMK-7

    功率:500mW

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:550mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    功率:500mW

    连续漏极电流:320mA

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:64pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004DMK-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:550mA

    功率:500mW

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:500mW

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    输入电容:281pF@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:3.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    功率:500mW

    连续漏极电流:320mA

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:64pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    输入电容:64.3pF@25V

    类型:N沟道

    功率:500mW

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:950mV@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004DMK-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:550mA

    功率:500mW

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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