采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-7-F
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：N沟道
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS8402DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：115mA€130mA
功率：200mW
漏源电压：60V€50V
类型：N和P沟道
输入电容：50pF@25V€45pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
类型：N沟道
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：N沟道
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：N沟道
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WQ-7-F
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
阈值电压：2V@1mA
功率：200mW
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
输入电容：45pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DWQ-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DWQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WQ-7-F
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
阈值电压：2V@1mA
功率：200mW
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
输入电容：45pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：N沟道
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
连续漏极电流：540mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
类型：N沟道
功率：200mW
输入电容：150pF@16V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LT-7
阈值电压：2V@250µA
输入电容：23pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS8402DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：115mA€130mA
功率：200mW
漏源电压：60V€50V
类型：N和P沟道
输入电容：50pF@25V€45pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-7-F
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：115mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LT-7
阈值电压：2V@250µA
输入电容：23pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
类型：N沟道
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W-7-F
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
阈值电压：2V@1mA
功率：200mW
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
输入电容：45pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WQ-7-F
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：45pF@25V
漏源电压：50V
阈值电压：2V@1mA
功率：200mW
连续漏极电流：130mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DWQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LW-7
阈值电压：2V@250µA
输入电容：23pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WQ-7-F
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：45pF@25V
漏源电压：50V
阈值电压：2V@1mA
功率：200mW
连续漏极电流：130mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
