品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:300mW
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
类型:P沟道
功率:300mW
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:51.16pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84-7-F
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:45pF@25V
漏源电压:50V
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC21D1UDA-7B
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:455mA€328mA
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:31pF@15V€28.5pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
功率:300mW
连续漏极电流:230mA
阈值电压:1V@250µA
输入电容:14.1pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84-7-F
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:50V
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
功率:300mW
输入电容:45pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:300mW
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:22pF@25V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22pF@25V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22pF@25V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84Q-13-F
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.59nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:50V
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
功率:300mW
输入电容:45pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:300mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
类型:P沟道
功率:300mW
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:51.16pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDWQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:300mW
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:22pF@25V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDWQ-7
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:300mW
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84Q-7-F
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.59nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:50V
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
功率:300mW
输入电容:45pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-7-F
导通电阻:5Ω@200mA,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123Q-13
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:6Ω@170mA,10V
功率:300mW
输入电容:60pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123Q-7
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
导通电阻:6Ω@170mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-7-F
导通电阻:5Ω@200mA,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84Q-13-F
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.59nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:50V
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
功率:300mW
输入电容:45pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-13-F
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:50V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1618
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-7-F
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:50V
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDWQ-7
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870-7-F
导通电阻:5Ω@200mA,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
输入电容:50pF@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: