品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC6A07T8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:300mΩ@1.8A,10V
输入电容:166pF@40V€233pF@30V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
功率:1.3W
连续漏极电流:1.6A€1.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:1.3W
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A€800mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
漏源电压:100V
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2223
规格型号(MPN):DMN6040SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.3W
输入电容:1287pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:1.3W
输入电容:401pF@25V
漏源电压:100V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SPSQ-13
输入电容:4234pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:1.3W
连续漏极电流:8.5A
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:47.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
输入电容:2248pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4047LSD-13
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:24mΩ@6A,10V
连续漏极电流:7A€5.1A
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.3W
输入电容:1287pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
类型:2N沟道(双)
功率:1.3W
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.7A€2A
阈值电压:3V@250µA
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4047LSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:24mΩ@6A,10V
连续漏极电流:7A€5.1A
功率:1.3W
类型:N和P沟道
输入电容:1060pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4011SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:1.3W
栅极电荷:52nC@10V
输入电容:2747pF@20V
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:11.7A€76A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:1.3W
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:1.3W
输入电容:401pF@25V
漏源电压:100V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LSD-13
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:25mΩ@7A,10V
连续漏极电流:6A
阈值电压:3V@250µA
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A€800mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
漏源电压:100V
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:1.3W
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT15H017LPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
功率:1.3W
输入电容:3369pF@75V
连续漏极电流:9.4A€58A
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:1.3W
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC6A07T8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:300mΩ@1.8A,10V
输入电容:166pF@40V€233pF@30V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
功率:1.3W
连续漏极电流:1.6A€1.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存: