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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC6A07T8TA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC6A07T8TA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMHC6A07T8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    输入电容:166pF@40V€233pF@30V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    功率:1.3W

    连续漏极电流:1.6A€1.3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订15000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订15000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:151pF@10V

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    功率:1.3W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968UQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:151pF@10V

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    功率:1.3W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC10A07T8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC10A07T8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1A€800mA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:138pF@60V€141pF@50V

    漏源电压:100V

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2223

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.3W

    输入电容:1287pF@25V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4015SPSQ-13

    输入电容:4234pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:1.3W

    连续漏极电流:8.5A

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:47.5nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UTS-13

    输入电容:2248pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:21A

    导通电阻:11mΩ@7A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4047LSD-13

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    连续漏极电流:7A€5.1A

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.3W

    输入电容:1287pF@25V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    类型:2N沟道(双)

    功率:1.3W

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC3A01T8TA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC3A01T8TA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    输入电容:190pF@25V€204pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.7A€2A

    阈值电压:3V@250µA

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4047LSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    连续漏极电流:7A€5.1A

    功率:1.3W

    类型:N和P沟道

    输入电容:1060pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4011SPSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4011SPSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4011SPSQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:1.3W

    栅极电荷:52nC@10V

    输入电容:2747pF@20V

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:11.7A€76A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LSD-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LSD-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    连续漏极电流:6A

    阈值电压:3V@250µA

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC10A07T8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC10A07T8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1A€800mA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:138pF@60V€141pF@50V

    漏源电压:100V

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968UQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:151pF@10V

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    功率:1.3W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订12000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订12000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:151pF@10V

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    功率:1.3W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT15H017LPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:50nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    功率:1.3W

    输入电容:3369pF@75V

    连续漏极电流:9.4A€58A

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC6A07T8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC6A07T8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMHC6A07T8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    输入电容:166pF@40V€233pF@30V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    功率:1.3W

    连续漏极电流:1.6A€1.3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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