品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
连续漏极电流:260mA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:42pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
连续漏极电流:260mA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:27.9pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:87pF@20V
功率:320mW
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UDW-7
输入电容:28.5pF@30V
导通电阻:2Ω@50mA,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LW-7
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
漏源电压:50V
类型:N沟道
输入电容:45.8pF@25V
栅极电荷:1.2nC@10V
导通电阻:2Ω@270mA,10V
连续漏极电流:360mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
连续漏极电流:260mA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:27.9pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
输入电容:32pF@30V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
连续漏极电流:350mA
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
连续漏极电流:260mA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:42pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
连续漏极电流:260mA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.36nC@4.5V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:42pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D6UT-7
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:13.6pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:240mA
栅极电荷:0.82nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UW-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:340mA
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDW-13
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:87pF@20V
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
连续漏极电流:1A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55.2pF@16V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D6UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.6pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG302PU-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.2pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP510DLW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:0.56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.6pF@25V
连续漏极电流:174mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: