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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:228pF@50V

    功率:1.8W

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSD-13

    输入电容:502pF@30V

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    类型:N和P沟道

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    输入电容:1149pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3028LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3028LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3028LSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:6.6A€6.8A

    类型:N和P沟道

    功率:1.8W

    输入电容:472pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:28mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LSD-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LSD-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025LSD-13

    阈值电压:1.8V@250µA

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    输入电容:1640pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:6.9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LSD-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LSD-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025LSD-13

    阈值电压:1.8V@250µA

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    输入电容:1640pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:6.9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:2个P沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2040UFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:32mΩ@8.9A,4.5V

    连续漏极电流:13A

    栅极电荷:19nC@8V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:834pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMC3F31DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:608pF@15V

    类型:N和P沟道

    功率:1.8W

    连续漏极电流:6.8A€4.9A

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:228pF@50V

    功率:1.8W

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3024LSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:6.8A

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:608pF@15V

    功率:1.8W

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A06DN8TA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A06DN8TA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN3A06DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:4.9A

    输入电容:796pF@25V

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:35mΩ@9A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4040SSD-13 起订630个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4040SSD-13 起订630个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4040SSD-13

    阈值电压:1.8V@250µA

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    类型:N和P沟道

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:6.8A

    输入电容:1790pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4029SSDQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4029SSDQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4029SSDQ-13

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N和P沟道互补型

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:1060pF@20V€1154pF@20V

    连续漏极电流:9A€6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    功率:1.8W

    输入电容:330pF@40V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4050SSD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4050SSD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4050SSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:1.8V@250µA

    类型:N和P沟道

    功率:1.8W

    连续漏极电流:5.3A

    输入电容:1790.8pF@20V

    导通电阻:45mΩ@3A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:2个P沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025LSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025LSD-13

    阈值电压:1.8V@250µA

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    输入电容:1640pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:6.9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:2个P沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    功率:1.8W

    输入电容:330pF@40V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.3A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:17.2nC@10V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    输入电容:969pF@30V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.3A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:17.2nC@10V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    输入电容:969pF@30V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4050SSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4050SSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4050SSD-13

    阈值电压:1.8V@250µA

    类型:N和P沟道

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1790.8pF@20V

    导通电阻:45mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LVT-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    输入电容:620pF@15V

    栅极电荷:10.5nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3G32DN8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3G32DN8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN3G32DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    功率:1.8W

    输入电容:472pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:5.5A

    导通电阻:28mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    输入电容:401pF@25V

    功率:1.8W

    连续漏极电流:2.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    功率:1.8W

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    连续漏极电流:5.6A

    输入电容:498pF@15V

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LVT-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    输入电容:620pF@15V

    栅极电荷:10.5nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LVT-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    输入电容:620pF@15V

    栅极电荷:10.5nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2040UFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:32mΩ@8.9A,4.5V

    连续漏极电流:13A

    栅极电荷:19nC@8V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:834pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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