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    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 660mW
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订42000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订42000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:660mW

    栅极电荷:19.1nC@10V

    连续漏极电流:8A

    输入电容:1060pF@20V

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1779pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    连续漏极电流:10.5A

    漏源电压:20V

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.9A

    功率:660mW

    输入电容:1167pF@25V

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1537pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7

    输入电容:907pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:660mW

    连续漏极电流:7.9A

    栅极电荷:18nC@8V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1537pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.9A

    功率:660mW

    输入电容:1167pF@25V

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2013UFDE-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2013UFDE-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2013UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2453pF@10V

    导通电阻:11mΩ@8.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:10.5A

    栅极电荷:25.8nC@8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:660mW

    栅极电荷:19.1nC@10V

    连续漏极电流:8A

    输入电容:1060pF@20V

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7

    输入电容:907pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:660mW

    连续漏极电流:7.9A

    栅极电荷:18nC@8V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1779pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    连续漏极电流:10.5A

    漏源电压:20V

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7

    输入电容:907pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:660mW

    连续漏极电流:7.9A

    栅极电荷:18nC@8V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:9.1A

    功率:660mW

    栅极电荷:42.6nC@5V

    输入电容:2953pF@4V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:800mV@250µA

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7

    输入电容:907pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:660mW

    连续漏极电流:7.9A

    栅极电荷:18nC@8V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

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