品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:660mW
栅极电荷:19.1nC@10V
连续漏极电流:8A
输入电容:1060pF@20V
导通电阻:20mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1779pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
连续漏极电流:10.5A
漏源电压:20V
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
功率:660mW
输入电容:1167pF@25V
导通电阻:160mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1537pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7
输入电容:907pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:660mW
连续漏极电流:7.9A
栅极电荷:18nC@8V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1537pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
功率:660mW
输入电容:1167pF@25V
导通电阻:160mΩ@5A,10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2013UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2453pF@10V
导通电阻:11mΩ@8.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
连续漏极电流:10.5A
栅极电荷:25.8nC@8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:660mW
栅极电荷:19.1nC@10V
连续漏极电流:8A
输入电容:1060pF@20V
导通电阻:20mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7
输入电容:907pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:660mW
连续漏极电流:7.9A
栅极电荷:18nC@8V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1779pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
连续漏极电流:10.5A
漏源电压:20V
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7
输入电容:907pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:660mW
连续漏极电流:7.9A
栅极电荷:18nC@8V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.1A
功率:660mW
栅极电荷:42.6nC@5V
输入电容:2953pF@4V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7
输入电容:907pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:660mW
连续漏极电流:7.9A
栅极电荷:18nC@8V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: