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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
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栅极电荷：12.1nC@10V
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输入电容：897pF@20V
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规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
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栅极电荷：12.1nC@10V
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连续漏极电流：15.4A€49.1A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
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规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
输入电容：897pF@20V
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：15.4A€49.1A
栅极电荷：12.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
输入电容：897pF@20V
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：15.4A€49.1A
栅极电荷：12.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
输入电容：897pF@20V
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：15.4A€49.1A
栅极电荷：12.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4005SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3062pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
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