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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4051LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4051LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-7
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功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP4051LK3-13
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功率：2.14W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
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功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
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功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.1nC@10V
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输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
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功率：2.15W
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输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
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功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMP4051LK3-13
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功率：2.14W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：33.7nC@10V
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输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-13
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导通电阻：25mΩ@3A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
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功率：2.15W
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栅极电荷：17.1nC@10V
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输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP4051LK3-13
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功率：2.14W
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栅极电荷：14nC@10V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
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输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：810mW
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输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
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连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
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漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
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连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
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漏源电压：40V
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栅极电荷：14nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
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栅极电荷：33.7nC@10V
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输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.14W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：51mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
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栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
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