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    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 40V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4004LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:82.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4508pF@20V

    连续漏极电流:26A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4010LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@20V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4036LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4010LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@20V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4010LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@20V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4036LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4034SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4034SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4034SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4011LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4040SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4040SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4040SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.71W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-13 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-13 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3537pF@20V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4011LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4004LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:82.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4508pF@20V

    连续漏极电流:26A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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