采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFZ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H150DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：13.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.2pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：150Ω@50mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H150DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：13.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.2pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：150Ω@50mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
