品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG302PU-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.2pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG302PU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.2pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG302PU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.2pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: