采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065SQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065SQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
