品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-7
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: