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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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漏源电压：20V
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类型：N沟道
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功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
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输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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栅极电荷：5.7nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
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功率：2W
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连续漏极电流：3.1A
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功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
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连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
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导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
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