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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
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输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
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功率：1.1W
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输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
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输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
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输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
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输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
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输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
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输入电容：833pF@20V
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类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
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输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
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