品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3115UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3115UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3115UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3115UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3115UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
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输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@10V
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连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3115UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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