品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4496SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:493.5pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2444pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4496SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:493.5pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:56.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2444pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.71W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4496SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:493.5pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4468LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.52W
阈值电压:1.95V@250µA
栅极电荷:18.85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:56.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2444pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:56.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2444pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: