品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@20A,10V
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-13
栅极电荷:4.6nC@10V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
输入电容:235pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:41.2A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:274pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
输入电容:897pF@20V
功率:2.67W€27.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.4A€49.1A
栅极电荷:12.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-13
栅极电荷:4.6nC@10V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
输入电容:235pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
包装方式:卷带(TR)
功率:2.7W€139W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:8306pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:130.6nC@10V
连续漏极电流:215A
导通电阻:1.5mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:859pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25KTC
功率:2.11W
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
栅极电荷:17.16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:859pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:274pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
输入电容:897pF@20V
功率:2.67W€27.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.4A€49.1A
栅极电荷:12.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN13H750S-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:231pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:770mW
漏源电压:130V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:750mΩ@2A,10V
连续漏极电流:1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-7
栅极电荷:4.6nC@10V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
输入电容:235pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:41.2A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25KTC
功率:2.11W
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
栅极电荷:17.16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:859pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
输入电容:897pF@20V
功率:2.67W€27.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.4A€49.1A
栅极电荷:12.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@20A,10V
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN13H750S-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:231pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:770mW
漏源电压:130V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:750mΩ@2A,10V
连续漏极电流:1A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-7
栅极电荷:4.6nC@10V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
输入电容:235pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-13
栅极电荷:4.6nC@10V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
输入电容:235pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-7
栅极电荷:4.6nC@10V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
输入电容:235pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-7
栅极电荷:4.6nC@10V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
输入电容:235pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:41.2A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:274pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:N-Channel
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:10.7A€113A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.67W€27.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:15.4A€49.1A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: