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    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:41.2A

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    栅极电荷:5.4nC@10V

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:274pF@50V

    漏源电压:100V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    输入电容:897pF@20V

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.7W€139W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:8306pF@30V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:130.6nC@10V

    连续漏极电流:215A

    导通电阻:1.5mΩ@30A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.9A

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:859pF@50V

    漏源电压:100V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25KTC 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25KTC 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25KTC

    功率:2.11W

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    栅极电荷:17.16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:859pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    栅极电荷:5.4nC@10V

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:274pF@50V

    漏源电压:100V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    输入电容:897pF@20V

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN13H750S-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:770mW

    漏源电压:130V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    导通电阻:750mΩ@2A,10V

    连续漏极电流:1A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-7

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:41.2A

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25KTC 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25KTC 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25KTC

    功率:2.11W

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    栅极电荷:17.16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:859pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    输入电容:897pF@20V

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN13H750S-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:770mW

    漏源电压:130V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    导通电阻:750mΩ@2A,10V

    连续漏极电流:1A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-7

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-7

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-7

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:41.2A

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    栅极电荷:5.4nC@10V

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:274pF@50V

    漏源电压:100V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:2000
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