采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
功率：500mW
导通电阻：30Ω@100mA，5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：320mA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：85pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
导通电阻：10Ω@250mA，5V
功率：2W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
输入电容：45pF@25V
类型：N-Channel
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：200V
导通电阻：25Ω
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
导通电阻：25Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
输入电容：45pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.1nC@5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：320mA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：85pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
导通电阻：10Ω@250mA，5V
功率：2W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N-Channel
导通电阻：25Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N-Channel
导通电阻：25Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
