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    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:2100+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    栅极电荷:0.9nC@10V

    功率:300mW

    输入电容:23.2pF@25V

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:380mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3010LSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3010LSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3010LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2096pF@15V

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    栅极电荷:43.7nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3731U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3731U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3731U-7

    功率:400mW

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:73pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    连续漏极电流:900mA

    ECCN:EAR99

    阈值电压:950mV@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:950mW

    连续漏极电流:3.8A

    导通电阻:47mΩ@3.2A,10V

    输入电容:318pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LPS-13

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:16A€65A

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.3W€42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LPS-13

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:16A€65A

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.3W€42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    栅极电荷:7nC@10V

    连续漏极电流:8.4A

    功率:700mW€1.8W

    输入电容:393pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    输入电容:1415pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:25.1nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:730mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SSS-13

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:2000pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7

    导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:19.3nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    功率:1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3024SFG-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:900mW

    栅极电荷:10.5nC@10V

    输入电容:479pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.8A

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:625mW

    输入电容:190pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSS-13

    栅极电荷:9.47nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:9A

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:798pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:2000pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3051L-7

    连续漏极电流:5.8A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:424pF@5V

    导通电阻:38mΩ@5.8A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404L-7

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:9.2nC@10V

    类型:N-Channel

    输入电容:386pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:4.6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3051LDM-7

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.6nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:424pF@5V

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SSS-13

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:2000pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.1W

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    输入电容:1415pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:25.1nC@10V

    连续漏极电流:12A

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.02W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7430LFG-7

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:10.5A

    输入电容:1281pF@15V

    栅极电荷:26.7nC@10V

    导通电阻:11mΩ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3015SSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3015SSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3015SSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.9mΩ@11A,10V

    输入电容:1276pF@15V

    功率:1.55W

    栅极电荷:30.6nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3730U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3730U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3730U-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:750mA

    输入电容:64.3pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    功率:450mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3021LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3021LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3021LFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:706pF@15V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:2.03W

    连续漏极电流:11.8A

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3690pF@10V

    类型:N沟道

    功率:900mW

    连续漏极电流:17.6A

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3010LSS-13 起订615个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3010LSS-13 起订615个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3010LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    类型:N-Channel

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LFG-7

    栅极电荷:9.47nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:940mW

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:7.44A

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:798pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7

    导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:19.3nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    功率:1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:8.6nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    输入电容:448pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1W

    包装清单:商品主体 * 1

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