品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:23.4nC@8V
类型:N沟道
输入电容:995pF@6V
漏源电压:12V
连续漏极电流:12.2A
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:23.4nC@8V
类型:N沟道
输入电容:995pF@6V
漏源电压:12V
连续漏极电流:12.2A
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50.6nC@8V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
输入电容:2426pF@10V
功率:680mW
连续漏极电流:9.3A
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:23.4nC@8V
类型:N沟道
输入电容:995pF@6V
漏源电压:12V
连续漏极电流:12.2A
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
类型:N沟道
栅极电荷:47nC@10V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:15A
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50.6nC@8V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
输入电容:2426pF@10V
功率:680mW
连续漏极电流:9.3A
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019UVT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.73W
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
输入电容:2588pF@10V
阈值电压:800mV@250µA
连续漏极电流:10.7A
栅极电荷:50.4nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
类型:N沟道
栅极电荷:47nC@10V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:15A
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.41A
功率:500mW
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:106pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1260UFA-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
功率:360mW
栅极电荷:0.96nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:366mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1260UFA-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
功率:360mW
栅极电荷:0.96nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:366mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1260UFA-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
功率:360mW
栅极电荷:0.96nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:366mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1016UCB6-7
导通电阻:20mΩ@1.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.2nC@4.5V
类型:N沟道
功率:920mW
输入电容:423pF@6V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.41A
功率:500mW
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:106pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50.6nC@8V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
输入电容:2426pF@10V
功率:680mW
连续漏极电流:9.3A
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.9W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:23.4nC@8V
类型:N沟道
输入电容:995pF@6V
漏源电压:12V
连续漏极电流:12.2A
阈值电压:1V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019UVT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.73W
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
输入电容:2588pF@10V
阈值电压:800mV@250µA
连续漏极电流:10.7A
栅极电荷:50.4nC@8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:23.4nC@8V
类型:N沟道
输入电容:995pF@6V
漏源电压:12V
连续漏极电流:12.2A
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.26W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
导通电阻:25mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.73W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2588pF@10V
连续漏极电流:10.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: