采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2088LCP3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2088LCP3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2088LCP3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
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输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2088LCP3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
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连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
栅极电荷：15.8nC@10V
类型：P沟道
功率：1.1W
导通电阻：80mΩ@4A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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