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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：1550pF@10V
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类型：2N沟道（双）共漏
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
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导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
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导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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功率：800mW
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3006SCA6-7
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功率：800mW
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2235pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：800mW
阈值电压：2.2V@1mA
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输入电容：2235pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
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功率：800mW
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连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：800mW
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
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导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3006SCA6-7
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功率：800mW
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连续漏极电流：13A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3006SCA6-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2235pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3006SCA6-7
连续漏极电流：13A
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：800mW
导通电阻：5.5mΩ@5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）共漏
输入电容：2235pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9A
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）共漏
阈值电压：1.1V@250µA
输入电容：1550pF@10V
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3006SCA6-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2235pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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