品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-13-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-13-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS870-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: